[发明专利]等离子处理装置及其清洗方法有效
| 申请号： | 200410058831.0 | 申请日： | 2004-07-30 |
| 公开（公告）号： | CN1585093A | 公开（公告）日： | 2005-02-23 |
| 发明（设计）人： | 波多野晃继 | 申请（专利权）人： | 夏普株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/00 | 分类号： | H01L21/00;H01L21/205;H01L21/3065;H01L21/302 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 刘宗杰;叶恺东 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 一种等离子处理装置及其等离子清洗方法，在消除对被处理衬底的粒子冲击提高成膜质量的同时，由简单的构成有效地除去处理室内的粒子降低装置成本。等离子处理装置，是包括：处理室；设置在上述处理室内的，支撑被处理衬底的衬底支撑部分；在上述处理室内部面对上述衬底支撑部分设置的，具有产生等离子的复数个第1电极及第2电极的复合电极，向处理室内部提供原料气体的原料气体供给部分。还包括通过增大或减小形成在处理室内部的等离子区域的等离子区域增减器，通过等离子区域增减器增大或者是减小了的等离子区域的等离子，等离子清洗上述处理室内部的等离子清洗方法。 | ||
| 搜索关键词： | 等离子 处理 装置 及其 清洗 方法 | ||
【主权项】：
1.一种等离子处理装置，其特征为：是在包括：处理室；设置在上述处理室内的，支撑被处理衬底的衬底支撑部分；在上述处理室内面对上述衬底支撑部分设置的，具有产生等离子的复数个放电电极的复合电极；的等离子处理装置中，还包括：增大或减小形成在上述处理室内部的等离子区域的等离子区域增减器；通过上述等离子区域增减器增大或者是减小了的等离子区域的等离子，等离子清洗上述处理室内部的清洗器。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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