[发明专利]半导体装置无效
| 申请号： | 200410058869.8 | 申请日： | 2004-07-30 |
| 公开（公告）号： | CN1591901A | 公开（公告）日： | 2005-03-09 |
| 发明（设计）人： | 钟个江义晴;岩崎富生;守谷浩志 | 申请（专利权）人： | 株式会社日立制作所 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L27/04;H01L27/088;H01L21/283;H01L21/314;H01L21/8234 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 曲瑞 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种形成多个具有栅极绝缘膜的晶体管的半导体装置，充分抑制通过栅极绝缘膜流过的泄漏电流。该半导体装置，其特征在于：形成具有半导体衬底、在上述衬底上形成的栅极绝缘膜、和在上述栅极绝缘膜上形成的栅电极的场效应晶体管，上述栅极绝缘膜以氮氧化硅(SiON)为主成分，上述栅极绝缘膜的变形状态是压缩变形状态。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 | ||
【主权项】：
1.一种半导体装置，其特征在于：形成具有半导体衬底、在上述衬底上形成的栅极绝缘膜、和在上述栅极绝缘膜上形成的栅电极的场效应晶体管，其中上述栅极绝缘膜以氮氧化硅(SiON)为主成分，上述栅极绝缘膜的变形状态是压缩变形状态。
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