[发明专利]半导体激光器无效
| 申请号： | 200410058890.8 | 申请日： | 2004-08-03 |
| 公开（公告）号： | CN1592012A | 公开（公告）日： | 2005-03-09 |
| 发明（设计）人： | 鴫原君男;川崎和重 | 申请（专利权）人： | 三菱电机株式会社 |
| 主分类号： | H01S5/30 | 分类号： | H01S5/30 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 岳耀锋 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 提供一种半导体激光器，前端面为低反射率，且由温度变化导致的振荡波长的变化小。该半导体激光器至少具有有源层、包层、和出射光的端面，在其端面上设置有反射率随波长变化的低反射膜，该低反射膜的反射率变成极小的波长位于半导体激光器增益变成最大的波长的靠长波长侧，只在低反射膜的反射率随波长增加而减少的区域半导体激光器的增益和损失变成相等。半导体激光器增益变成最大的波长下的低反射膜的反射率优选为小于等于1％。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体激光器 | ||
【主权项】：
1.一种半导体激光器，至少具有有源层、包层、和出射光的端面，其特征是：在所述端面上设置有反射率随波长变化的低反射膜，所述低反射膜的反射率变成极小的波长位于所述半导体激光器的增益变成最大的波长的长波长一侧，只在所述低反射膜的反射率伴随波长增加而减少的区域，所述半导体激光器的增益和损失变成相等。
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