[发明专利]制造多晶硅层的方法有效
| 申请号： | 200410058928.1 | 申请日： | 2004-07-21 |
| 公开（公告）号： | CN1588621A | 公开（公告）日： | 2005-03-02 |
| 发明（设计）人： | 陈亦伟;张志雄;许宗义 | 申请（专利权）人： | 友达光电股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/20 | 分类号： | H01L21/20;H01L21/36;H01L21/00 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所 | 代理人： | 任永武 |
| 地址： | 台湾省新竹科学*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 一种制造多晶硅层的方法，包括：首先，提供一基板，并形成一绝缘层于基板上。接着，形成一非晶硅层于绝缘层上，非晶硅层具有一非晶硅厚区及一非晶硅薄区。然后，将非晶硅层完全熔融为一第一熔融态非晶硅区及一第二熔融态非晶硅区。第一熔融态非晶硅区的底部中央对应于非晶硅厚区的底部中央，第二熔融态非晶硅区的底部中央对应于非晶硅薄区的底部中央，第一熔融态非晶硅区的温度低于第二熔融态非晶硅区的温度。接着，由第一熔融态非晶硅区往第二熔融态非晶硅区结晶，以形成多晶硅层。 | ||
| 搜索关键词： | 制造 多晶 方法 | ||
【主权项】：
1.一种用以制造多晶硅层的方法，包括：提供一基板；形成一绝缘层于该基板上；形成一非晶硅层于该绝缘层上，该非晶硅层具有至少一非晶硅厚区及至少一非晶硅薄区，该非晶硅厚区及该非晶硅薄区分别具有一第一厚度及一第二厚度，该第一厚度大于该第二厚度；将该非晶硅层完全熔融为一熔融态非晶硅层，该熔融态非晶硅层具有一第一熔融态非晶硅区及一第二熔融态非晶硅区，该第一熔融态非晶硅区的底部中央对应于该非晶硅厚区的底部中央，该第二熔融态非晶硅区的底部中央对应于该非晶硅薄区的底部中央，该第一熔融态非晶硅区的底部中央的温度低于该第二熔融态非晶硅区及该第一熔融态非晶硅区的顶部的温度；以及由该第一熔融态非晶硅区的底部中央往该第二熔融态非晶硅区及该第一熔融态非晶硅区的顶部结晶，以形成该多晶硅层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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