[发明专利]电路阵列基板及其制造方法有效
| 申请号： | 200410058939.X | 申请日： | 2004-07-22 |
| 公开（公告）号： | CN1577018A | 公开（公告）日： | 2005-02-09 |
| 发明（设计）人： | 石田有亲;渊正芳;松浦由纪;多田典生 | 申请（专利权）人： | 东芝松下显示技术有限公司 |
| 主分类号： | G02F1/136 | 分类号： | G02F1/136;G02F1/133;H01L29/786;G03F7/20 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所 | 代理人： | 李家麟 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 一种电路阵列基板具有绝缘基板3上形成的薄膜晶体管4和5以及PIN二极管6。活性层11和光电传感器部分21由多晶硅膜制成。如必要，在同一处理腔中将杂质掺杂入活性层11和光电传感器部分21中，以便使得它们的杂质浓度彼此不同。可以采用较少数量的处理同时且方便地在绝缘基板3上制造具有预定特征的薄膜晶体管4和5以及具有改进的光感度的PIN二极管6。 | ||
| 搜索关键词： | 电路 阵列 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种电路阵列基板，其特征在于，包括：绝缘基板；开关元件，它具有形成于所述绝缘基板上的多晶半导体活性层；以及光电半导体装置，它具有形成于所述绝缘基板上的多晶半导体的光电传感器部分，其中，在处理腔中以一定的杂质浓度将杂质掺杂入所述多晶半导体的所述活性层中，且还在与所述多晶半导体的所述活性层相同的处理腔中，以与所述多晶半导体的所述活性层的杂质浓度不同的杂质浓度将所述杂质掺杂入所述多晶半导体的所述光电传感器部分中。
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