[发明专利]强化抗腐蚀的制程组件无效
| 申请号： | 200410058951.0 | 申请日： | 2004-07-23 |
| 公开（公告）号： | CN1577765A | 公开（公告）日： | 2005-02-09 |
| 发明（设计）人： | 珍妮弗·Y·桑;亚娜达·H·库玛;太许山恩 | 申请（专利权）人： | 应用材料有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/3065 | 分类号： | H01L21/3065 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人： | 胡晶;王学强 |
| 地址： | 美国*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 一种抗等离子体腐蚀的制程组件，其可以维持等离子体性质的空间均匀性、减少腔室中粒子的产生以及提高制程组件的寿命。一聚合物材料层覆盖住制程组件的上表面。而且此聚合物材料层是氟碳化物且不会与等离子体中的物质反应。此聚合物材料层不仅可保护制程组件免于累进的腐蚀，而且还可以避免腔室中粒子的产生。此聚合物材料层的介电常数系与制程组件的介电常数相似，因此可以维持靠近晶圆周围的等离子体性质的空间均匀性，其例如是蚀刻率。此膜层的厚度是控制在0.5至1.5mm之间，以使此膜层与制程组件之间的热膨胀系数的差异不会使得此膜层由制程组件的上表面剥离下来。 | ||
| 搜索关键词： | 强化 腐蚀 组件 | ||
【主权项】：
1.一种制程组件，其用以增进一等离子体蚀刻反应室内的抗腐蚀性，其特征在于，包括：一环状物，围绕于一半导体晶圆的周围；以及一聚合物材料层，至少覆盖该环状物的表面。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
