[发明专利]半导体芯片侧接触方法无效
| 申请号： | 200410059016.6 | 申请日： | 2004-07-29 |
| 公开（公告）号： | CN1577810A | 公开（公告）日： | 2005-02-09 |
| 发明（设计）人： | R·林德斯特德特 | 申请（专利权）人： | 因芬尼昂技术股份公司 |
| 主分类号： | H01L21/98 | 分类号： | H01L21/98;H01L21/60 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 吴立明;梁永 |
| 地址： | 联邦德*** | 国省代码： | 德国;DE |
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| 摘要： | 本发明描述一种半导体芯片之侧接触方法，在一侧表面(14)具有一电性接触点(17)之第一半导体芯片(11)情况中，一黏著材料(2)之层(27)被施加至一曝露的接触区域(17a)且可藉由提供热而被熔解之一导电材料预型粒子(23)被施加至该层(27)。一第二半导体芯片(12)以黏著至该第一半导体芯片(11)之该粒子(23)接触该第二半导体芯片之一电性接触点(18)之方式倚靠该该第一半导体芯片(11)，且该半导体芯片(11，12)及该粒子被加热直到该粒子二者(23)熔合於该第一及第二半导体芯片之电性接触点(17，18)之上。本发明之方法使得半导体芯片(1，12)经由它们的侧表面之电性接触在习知仅可被用於水平安装被接触区域之焊锡或打线技术的协助下是可能的。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 芯片 接触 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体芯片之侧接触方法，具有以下步骤：a)从基板材料产生一第一半导体芯片(11)，该第一半导体芯片(11)具有包含该第一半导体芯片之一侧表面(14)中之一曝露区域(17a)之一电性接触点(17)，b)与该基板材料相关有选择性地施加一黏著材料(2)之层(27)至该曝露的接触区域(17a)，c)压制可藉由提供热而熔解之一导电材料的预型粒子(23)於该层(27)上，并以黏著至该第一半导体芯片(11)之该粒子(23)接触一第二半导体芯片(12)之一电性接触点(18)之方式定位该第一半导体芯片(11)於该第二半导体芯片上，d)加热具有该粒子之该半导体芯片(11，12)直到该粒子(23)熔合於该第一及第二半导体芯片之该电性接触点(17，18)之上为止。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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