[发明专利]薄膜晶体管及其制造方法无效

申请号：	200410059045.2	申请日：	2004-07-29
公开（公告）号：	CN1577773A	公开（公告）日：	2005-02-09
发明（设计）人：	内田祐介;寺元弘;须贺原和之;竹口徹	申请（专利权）人：	三菱电机株式会社
主分类号：	H01L21/336	分类号：	H01L21/336;H01L21/20;H01L21/02;H01L29/786;G02F1/136
代理公司：	中国国际贸易促进委员会专利商标事务所	代理人：	王永刚
地址：	日本***	国省代码：	日本;JP
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摘要：	提供一种工作特性优良、缺陷能级极少的薄膜晶体管的制造方法。该方法包括：在绝缘性衬底(1)上，形成氮化硅膜(2)和氧化硅膜(3)构成的内涂敷膜的步骤；在内涂敷膜上形成非晶硅膜(10)的步骤；在硅膜(10)上形成氧化硅膜(11)构成的界面保护膜的步骤；向形成了界面保护膜的衬底照射YAG激光，对硅膜(10)进行激光退火的步骤；对激光退火后的硅膜(4)进行构图的步骤；以及在构图后的衬底上形成氧化硅膜(5)构成的栅绝缘膜的步骤；其中，在真空室内一边保持真空状态一边依次形成内涂敷膜、非晶硅膜(10)和界面保护膜。
搜索关键词：	薄膜晶体管及其制造方法
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【主权项】：

1.一种薄膜晶体管的制造方法，包括：在衬底上形成非晶硅膜的硅膜形成步骤；在所述硅膜上形成界面保护膜的界面保护膜形成步骤；向形成了所述界面保护膜的衬底照射激光，对所述硅膜进行退火的激光退火步骤；以及在激光退火后的衬底上形成栅绝缘膜的栅绝缘膜形成步骤；其特征在于，一边保持真空状态一边依次形成所述硅膜和界面保护膜。

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专利分类

H 电学

H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造

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