[发明专利]半导体装置的制造方法及半导体装置制造系统无效

专利信息
申请号: 200410059248.1 申请日: 2004-06-14
公开(公告)号: CN1574241A 公开(公告)日: 2005-02-02
发明(设计)人: 镰田泰幸 申请(专利权)人: 松下电器产业株式会社
主分类号: H01L21/306 分类号: H01L21/306;H01L21/304;H01L21/66;B24B1/00
代理公司: 中科专利商标代理有限责任公司 代理人: 汪惠民
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要: 发明公开了一种半导体装置的制造方法及半导体装置制造系统。其目的在于:提供减少了特性不同的半导体装置。通过对被研磨膜的研磨率分布和研磨后的被研磨膜的目标膜厚分布进行比较,倒算出研磨前的被研磨膜的膜厚分布,从而能够预先控制形成膜的条件使在研磨后能够获得与目标膜厚分布一样的被研磨膜的膜厚分布。这样一来,即使有可能因研磨在晶片表面产生凹凸的不均匀,也能够使最后所获得的被研磨膜的膜厚分布与目标膜厚分布一样。因此,能够提供减少了特性不同的半导体装置。
搜索关键词: 半导体 装置 制造 方法 系统
【主权项】:
1、一种半导体装置的制造方法,其特征在于:包括:对在晶片上形成的被研磨膜设定研磨率分布、及对所述被研磨膜设定研磨后的目标膜厚分布的工序(a);根据所述研磨率分布和所述目标膜厚分布、算出所述被研磨膜的研磨前的膜厚分布的工序(b);形成所述被研磨膜,以实现所述被研磨膜的研磨前的膜厚分布的工序(c);以及研磨所述被研磨膜的工序(d)。
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