[发明专利]化学机械研磨的流程与基底上铜层氧化物研磨制程有效

专利信息
申请号: 200410059424.1 申请日: 2004-06-18
公开(公告)号: CN1618569A 公开(公告)日: 2005-05-25
发明(设计)人: 洪伟伦;庄佳哲;钟基伟;邱文智;陈盈和;章勋明 申请(专利权)人: 台湾积体电路制造股份有限公司
主分类号: B24B1/00 分类号: B24B1/00;H01L21/302
代理公司: 北京三友知识产权代理有限公司 代理人: 王一斌
地址: 台湾省新竹*** 国省代码: 中国台湾;71
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摘要: 发明揭示一种氧化物研磨制程,是一化学机械研磨制程的流程的一部分。在一第一研磨站中研磨一铜层与一第二研磨站中研磨一扩散阻障层之后,一第三研磨站中的一关键步骤为一第一氧化物研磨浆料与一第一去离子水冲洗的应用,以及其后的一第二氧化物研磨浆料与一第二去离子水冲洗。其结果为缺陷的数量由数千降至低于一百。另一个重要的因子为低下压力(down force),能更有效地去除粒子。改善后的氧化物研磨制程与一单一的氧化物研磨与一去离子水冲洗的方法,具有相同的产出,并可以实行于任何三元研磨浆料的制程流程中。
搜索关键词: 化学 机械 研磨 流程 基底 上铜层 氧化物
【主权项】:
1.一种基底上铜层氧化物研磨制程,该基底具有一上表面与下表面,而该制程,包含:(a)提供一基底,具有一上表面,该上表面包含一铜层区与一介电层区,该铜层区为一铜层的上表面,该介电层区为一介电层的上表面;(b)使用一平台上的一研磨垫与一研磨浆料来接触该基底的该上表面,以在一研磨治具的一第一研磨站中,施行一第一氧化物研磨步骤,其中该基底是藉由其下表面承载于具有一向下力与一转速的一承载体上;(c)以去离子水冲洗该基底;(d)使用一平台上的该研磨垫与一研磨浆料来接触该基底的该上表面,以在该第一研磨站中,施行一第二氧化物研磨步骤,其中该基底是藉由其下表面承载于具有一下压力与一转速的一承载体上;以及(e)第二次以去离子水冲洗该基底。
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