[发明专利]反熔丝型存储器组件的结构与制造方法有效
| 申请号： | 200410059427.5 | 申请日： | 2004-06-18 |
| 公开（公告）号： | CN1577797A | 公开（公告）日： | 2005-02-09 |
| 发明（设计）人： | 林智明;汪坤发;刘家成 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;H01L21/3205;H01L21/8239;H01L23/525;H01L27/10 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 | 代理人： | 王一斌 |
| 地址： | 台湾省新竹*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种反熔丝型存储器组件的结构与制造方法，包括下列步骤：首先，提供一基板并形成一金属层于该基板上。其后，形成一硅层于该金属层上并使该金属层与部分该硅层反应以形成一金属硅化物层且未被反应的硅层做为第一型导电层。接下来，形成一反熔丝层于该第一型导电层上。图形化该第一型导电层、金属硅化物层、反熔丝层以形成字符线并形成一第二型导电层于该反熔丝层上，最后图形化该第二型导电层以形成位线。本发明可以减少多晶硅的沉积步骤，以简化形成金属硅化物的制程，缩减制程时间，减低制造成本及减少传导层的总体阻质。 | ||
| 搜索关键词： | 反熔丝型 存储器 组件 结构 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种反熔丝型存储器组件的制造方法，包括下列步骤：提供一基板；形成一黏合层于该基板上；形成一金属层于该黏合层上；形成一硅层于该金属层上；使该金属层及部分该黏合层与部分该硅层反应以形成一金属硅化物层且未被反应的硅层做为第一型导电层；形成一反熔丝层于该第一型导电层上；图形化该第一型导电层、金属硅化物层、反熔丝层以形成字符线；形成一第二型导电层于该反熔丝层上；以及图形化该第二型导电层以形成位线。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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