[发明专利]高频功率放大器模块及半导体集成电路器件

摘要

本发明公开了一种高频功率放大器模块和半导体集成电路器件，其显著地提高交叉频带隔离性能而不使用任何滤波电路。在RF电源模块中设置的半导体芯片的中心部分中从上部向下形成接地线层。该接地线层形成在用于放大不同频带的GSM侧晶体管和DCS侧晶体管之间的边界上。在接地布线层上以相等的间隔形成芯片电极，且芯片电极的任意一个通过键合线连接到键合电极。在将安装半导体芯片的模块布线板上形成键合电极，且接地布线层连接到键合电极。通过接地布线层和键合引线俘获谐波信号。

主权项

1.一种高频功率放大器模块，包括：在半导体芯片上方形成的、用于放大两个不同频带的高频信号的第一和第二功率放大器部分；用于匹配待进入所述第一和第二功率放大器部分的信号的阻抗的输入匹配电路；用于匹配待从所述第一和第二功率放大器部分提供的信号的阻抗的输出匹配电路；以及用于在其上方安装所述半导体芯片、所述输入匹配电路以及所述输出匹配电路的模块布线板，其中，在所述半导体芯片的主表面上方的所述第一功率放大器部分和所述第二功率放大器部分之间形成基准电位区，以及其中，所述基准电位区通过通孔连接到遍布所述半导体芯片的背面设置的基准电位层。