[发明专利]不需要单独溶剂冲冼步骤的脱除侧壁聚合物和蚀刻剂残余物的组合物无效
| 申请号： | 200410059515.5 | 申请日： | 2004-05-14 |
| 公开（公告）号： | CN1574246A | 公开（公告）日： | 2005-02-02 |
| 发明（设计）人： | 金成镇 | 申请（专利权）人： | 利奎德技术株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/312 | 分类号： | H01L21/312;H05K3/26 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 贾静环;宋莉 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明提供了除去在半导体的光(致)处理过程中，从各种蚀刻、灰化和/或离子注入方法生成并残留的蚀刻剂残余物、侧壁聚合物或者变性的蚀刻自底部金属层的光敏金属的残余物的化学组合物，该化学组合物包括：至少一种和金属形成配价键的有机酸，其中所述有机酸由下述化学式(I)和(II)表示，其中R1，R2和R3独立地选自氢，烷基，－OH(羟基)和－COOH(羧基)，和如果R3选自－COOH基，则R3在C1中与－COOH基形成酸酐；由RnO(CH2CH2O)mH表示的极性有机溶剂，其中n和m独立地是2－10的常数；附加的酸包括草酸或者无机酸；和去离子水。 | ||
| 搜索关键词： | 不需要 单独 溶剂 步骤 脱除 侧壁 聚合物 蚀刻 残余物 组合 | ||
【主权项】：
1.一种除去在半导体的光处理过程中从各种蚀刻、灰化和/或离子注入方法生成并残留的蚀刻剂残余物、侧壁聚合物或者蚀刻底部金属层时的变性的光敏金属的残余物的化学组合物，该化学组合物包括：至少一种和金属形成配位键的有机酸，其中所述有机酸由下述化学式(I)和(II)表示，![]()
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其中R1，R2和R3独立地选自氢，烷基，-OH(羟基)和-COOH(羧基)，如果R3选自-COOH基，则R3在C1中与-COOH基形成酸酐；由RnO(CH2CH2O)mH表示的极性有机溶剂，其中n和m独立地是2-10的常数；附加的酸，包括草酸或者无机酸；和去离子水。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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