[发明专利]制造半导体器件的方法和使用该方法的半导体器件制造装置有效
| 申请号： | 200410059772.9 | 申请日： | 2004-06-17 |
| 公开（公告）号： | CN1577798A | 公开（公告）日： | 2005-02-09 |
| 发明（设计）人： | 山口嘉彦 | 申请（专利权）人： | 株式会社瑞萨科技;瑞萨北日本半导体公司 |
| 主分类号： | H01L21/78 | 分类号： | H01L21/78;H01L21/301;H01L21/02;H01L23/12 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 秦晨 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 一种半导体器件制造装置包括预对准部分，其具有适合于识别在多阵列基片上形成的识别标记的预对准相机，切割部分，其根据由预对准部分对标记的图象识别获得的信息用切刀切割基片，和xy台，其携带基片。预对准部分根据图象识别预先识别基片上的所有标记，借此确定切割位置，而切割部分仅仅用对准相机识别基片上的几个点。结果，预对准和切割能够同时发生，从而能够提高切割处理的产量。 | ||
| 搜索关键词： | 制造 半导体器件 方法 使用 装置 | ||
【主权项】：
1.一种通过使用多阵列基片制造半导体器件的方法，该多阵列基片具有多个半导体器件形成区域，所述方法包括如下步骤：(a)制备多个多阵列基片；(b)将多个半导体芯片安装在多阵列基片上；(c)对安装在多阵列基片上的半导体芯片进行树脂密封；和(d)在步骤(c)之后对多阵列基片中的第一多阵列基片执行图象识别，之后将第一多阵列基片切割成单独的半导体器件，同时，对第二多阵列基片进行图象识别。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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