[发明专利]蚀刻系统及其蚀刻液处理方法无效
| 申请号： | 200410059805.X | 申请日： | 2004-06-22 |
| 公开（公告）号： | CN1713359A | 公开（公告）日： | 2005-12-28 |
| 发明（设计）人： | 张宏隆;吕泓岳 | 申请（专利权）人： | 茂德科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/311 | 分类号： | H01L21/311;H01L21/306;H01L21/76;C23F1/00 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 陶凤波;侯宇 |
| 地址： | 台湾省新竹*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明的蚀刻系统包括一具有一含硅蚀刻液的处理槽、一冷却槽、一预热槽、一可自该处理槽输送该蚀刻液至该冷却槽的第一管路、一可自该冷却槽输送该蚀刻液至该预热槽的第二管路以及一可自该预热槽输送该蚀刻液至该处理槽的第三管路。本发明的蚀刻液处理方法首先利用一蚀刻液进行一含硅薄膜的蚀刻制造工艺，接着将该蚀刻液冷却至一第一温度以形成一硅饱和蚀刻液。将该硅饱和蚀刻液内大于一预定尺寸的硅化物微粒过滤去除后，再加热至一第二温度以形成一非饱和蚀刻液，以便进行另一次蚀刻制造工艺。该第二温度高于该第一温度至少10℃。 | ||
| 搜索关键词： | 蚀刻 系统 及其 处理 方法 | ||
【主权项】：
1.一种蚀刻系统，包括：一处理槽，具有一含硅蚀刻液；一冷却槽；一第一管路，可自该处理槽输送该蚀刻液至该冷却槽；一预热槽；一第二管路，可自该冷却槽输送该蚀刻液至该预热槽；以及一第三管路，可自该预热槽输送该蚀刻液至该处理槽。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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