[发明专利]半导体集成电路器件无效
| 申请号： | 200410059842.0 | 申请日： | 1999-12-28 |
| 公开（公告）号： | CN1553494A | 公开（公告）日： | 2004-12-08 |
| 发明（设计）人： | 金光贤司;渡部浩三;铃木范夫;石冢典男 | 申请（专利权）人： | 株式会社日立制作所 |
| 主分类号： | H01L21/76 | 分类号： | H01L21/76;H01L27/04;H01L29/78;H01L21/336;H01L21/8234 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 王以平 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 一种半导体集成电路器件，包括：(a)形成在半导体衬底中的沟槽，以及(b)埋置在所述沟槽内的第一绝缘膜；其中，所述沟槽具有倾斜的表面，所述倾斜的表面和所述半导体衬底(1)的表面之间的第一边界部分是圆形的，以及所述倾斜的表面和所述沟槽的侧壁之间的第二边界是圆形的。被所述沟槽包围的有源区的衬底表面，在有源区的中心部分是水平面，但在有源区的肩部向着沟槽的侧壁下降。该斜面包括两个具有不同倾斜角的斜面。靠近有源区中心部分的第一斜面较陡峭，靠近元件隔离沟槽侧壁的第二斜面比第一斜面平缓。有源区肩部的村底表面完全变圆，没有尖角部分。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 集成电路 器件 | ||
【主权项】：
1.一种半导体集成电路器件，包括：(a)形成在半导体衬底中的沟槽，以及(b)埋置在所述沟槽内的第一绝缘膜；其中，所述沟槽具有倾斜的表面，所述倾斜的表面和所述半导体衬底(1)的表面之间的第一边界部分是圆形的，以及所述倾斜的表面和所述沟槽的侧壁之间的第二边界是圆形的。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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