[发明专利]半导体器件及其制造方法有效
| 申请号： | 200410059854.3 | 申请日： | 2004-06-25 |
| 公开（公告）号： | CN1577823A | 公开（公告）日： | 2005-02-09 |
| 发明（设计）人： | 朴济民 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L23/48 | 分类号： | H01L23/48;H01L23/52;H01L21/28;H01L21/768;H01L21/60;H01L27/108;H01L21/8242 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 林宇清;谢丽娜 |
| 地址： | 韩国京畿*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 在一个实施例中，一种半导体器件包括在半导体衬底中形成的导电焊盘。该半导体器件还包括重叠导电焊盘的外围区的导电图形。该导电图形具有一个开口，以露出导电焊盘的另一个区域。该半导体器件还还包括贯穿开口的导电接触。该导电接触电连接到导电焊盘。结果，可以减小用于半导体器件的制造成本，同时可以提高制造产量。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件，包括：在半导体衬底的非单元区中形成的导电焊盘；重叠导电焊盘的外围区的导电图形，该导电图形具有一个开口，以露出导电焊盘的另一个区域；以及贯穿开口的导电接触，该导电接触电连接到导电焊盘。
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