[发明专利]功率二极管制备方法及其装置无效
| 申请号： | 200410060041.6 | 申请日： | 2004-06-21 |
| 公开（公告）号： | CN1713358A | 公开（公告）日： | 2005-12-28 |
| 发明（设计）人： | 沈长庚 | 申请（专利权）人： | 朋程科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/3065 | 分类号： | H01L21/3065;H01L21/329;H01L29/861 |
| 代理公司： | 隆天国际知识产权代理有限公司 | 代理人： | 王玉双;高龙鑫 |
| 地址： | 台湾*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及一种功率二极管制备方法及其装置，特别是指一种用以清除半导体组件(尤指功率二极管)的P－N结暴露于外的部分的制备方法及其装置。其中，该装置包括：一反应室，其具有一气体喷入口，而该反应室的内部形成一封闭的空间，该功率二极管设置于该反应室中；一等离子体产生器，其用以将一蚀刻气体离子化，以产生自由基及离子，该等离子体产生器与该反应室的气体喷入口连接，以将离子化的蚀刻气体喷入该反应室；及一遮蔽钣，其设于该反应室内，且面对于该气体喷入口，以于该反应室内形成一蚀刻气体的浓度分布及一气体流向，以蚀刻该P－N结的侧向暴露面。 | ||
| 搜索关键词： | 功率 二极管 制备 方法 及其 装置 | ||
【主权项】：
1、一种功率二极管的制备方法，其应用于制造一功率二极管，该功率二极管具有一半导体芯片，而该半导体芯片具有一侧向暴露的P-N结，该功率二极管的制备方法包括：将该功率二极管置于一反应室中，其中该反应室具有一遮蔽钣；提供一蚀刻气体；将该蚀刻气体离子化，以产生自由基及离子；及将离子化的蚀刻气体喷向该遮蔽钣，以于该反应室内形成一蚀刻气体的浓度分布及一气体流向，以蚀刻该P-N结的侧向暴露面。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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