[发明专利]直接出射白光的高亮度功率型LED芯片有效
| 申请号： | 200410060708.2 | 申请日： | 2004-08-11 |
| 公开（公告）号： | CN1588656A | 公开（公告）日： | 2005-03-02 |
| 发明（设计）人： | 刘德明;黄黎蓉;刘陈;黄德修 | 申请（专利权）人： | 华中科技大学 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00 |
| 代理公司： | 湖北武汉永嘉专利代理有限公司 | 代理人： | 王守仁 |
| 地址： | 430074湖北省武汉市*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明是一种直接出射白光的高亮度功率型LED芯片，其结构是：设有至少两个发射不同主波长光的有源区，每一个有源区具有各自的光波导限制层；两种或者多种主波长不同的光谱混合在一起产生白光；其两侧的解理腔面都镀有反射膜，形成光子谐振腔；光出射方向为全侧面出光，此种结构适合GaN基或ZeSe基的LED，或者其它材料的LED；其衬底是蓝宝石衬底，或SiC衬底，或者别的衬底材料。本发明克服了现有的白光LED在结构、封装方面，以及亮度不够高、发光效率和发光功率小、制作工艺复杂等方面存在的缺陷，更适合在照明市场的广泛应用。 | ||
| 搜索关键词： | 直接 白光 亮度 功率 led 芯片 | ||
【主权项】：
1.一种直接出射白光的高亮度功率型LED芯片，其特征在于：设有至少两个发射不同主波长光的有源区，每一个有源区具有各自的光波导限制层；两种或者多种主波长不同的光谱混合在一起产生白光；其两侧的解理腔面都镀有反射膜，形成光子谐振腔；光出射方向为全侧面出光，上述结构适合氮化镓(GaN)基或硒化锌(ZeSe)基的LED，或者其它材料的LED；其衬底是蓝宝石衬底，或碳化硅(SiC)衬底，或者别的衬底材料。
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