[发明专利]一种新型杂化电极的制备方法无效
申请号: | 200410060843.7 | 申请日: | 2004-09-13 |
公开(公告)号: | CN1588651A | 公开(公告)日: | 2005-03-02 |
发明(设计)人: | 赵兴中;韩宏伟 | 申请(专利权)人: | 武汉大学 |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18;H01L31/0224;H01G9/20;H01M14/00;H01M4/04 |
代理公司: | 湖北武汉永嘉专利代理有限公司 | 代理人: | 朱必武 |
地址: | 43007*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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摘要: | 本发明公开了一种用于染料敏化纳米晶薄膜太阳能电池的新型杂化电极的制备方法,杂化电极包括溅射沉积层和纳米晶二氧化钛层两层。溅射沉积层通过反应直流磁控溅射法沉积于导电玻璃的导电层上,并具有良好的粗糙性。采用传统粉末涂覆法制备一层纳米晶二氧化钛薄膜层。该方法有利于提高染料敏化纳米晶太阳能电池的光电参数,是一种提高太阳能电池光电转换效率的有效方法。此外,该方法生产工艺简单、成本低廉。 | ||
搜索关键词: | 一种 新型 电极 制备 方法 | ||
【主权项】:
1、一种新型杂化电极的制备方法,其特征在于用反应直流磁控溅射法在导电玻璃上形成表面粗糙的二氧化钛溅射沉积层,再以粉末涂覆法在溅射沉积层上制备纳米晶二氧化钛层,然后吸附染料。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
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H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的