[发明专利]PECVD沉积低应力SiN薄膜工艺

摘要

一种PECVD沉积低应力SiN薄膜工艺，是一种产品致密性好、生长厚度较厚、绝缘性好的PECVD沉积低应力SiN薄膜工艺。本发明经过清洗并烘干基片、在PECVD真空室内升温至150～300℃并保持稳定时，给真空室充入N₂稀释的8～12％的SiH₄和NH₃至1～5Pa，并加上射频功率使其放电，进行沉积分。将沉积完成SiN薄膜的基片放入烘箱内，冲入N₂气进行保护，升温，到达280℃后保温，再降温到室温。本发明可以制作出致密性好，绝缘强度高的SiN薄膜，SiN薄膜能够成为结构梁，且薄膜具有应力小和强度高等特点，并可生长到1μm厚。本具有沉积温度低，沉积效率高的优点。

主权项

1、一种PECVD沉积低应力SiN薄膜工艺，其特征在于：其工艺包括以下步骤：(1)清洗基片：将石英基片放入玻璃洗液中浸泡12小时后放入丙酮中清洗，然后用无水乙醇清洗，之后烘干。(2)沉积SiN薄膜：将清洗后的基片放入PECVD真空室内，开始抽真空，并开始升温。当真空室温度上升至150～300℃并保持稳定时，给真空室充入N2稀释的8～12％的SiH4和NH3至1～5Pa，此时SiH4和NH3气体流量比为30∶5～38∶30，并加上射频功率使其开始放电，功率密度为0.05～0.25W/cm2。沉积分二次进行，先沉积20～35分钟，之后再重复沉积30～45分钟。(3)热处理工艺：将沉积完成SiN薄膜的基片放入烘箱内，冲入N2气进行保护，然后按照5～10℃/min进行升温，到达280℃后保温2～4小时，再按照5～10℃/min的速率进行降温，直至到室温。