[发明专利]复合氧化物半导体纳米材料的制备方法无效
申请号: | 200410061353.9 | 申请日: | 2004-12-15 |
公开(公告)号: | CN1622283A | 公开(公告)日: | 2005-06-01 |
发明(设计)人: | 贺平;金航 | 申请(专利权)人: | 贺平;金航 |
主分类号: | H01L21/02 | 分类号: | H01L21/02;H01L21/208;C23C18/00;B22F9/24;B82B3/00;C01G1/02 |
代理公司: | 武汉开元专利代理有限责任公司 | 代理人: | 朱盛华 |
地址: | 430074湖北省武汉市武*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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摘要: | 复合氧化物半导体纳米材料的制备方法,涉及复合氧化物半导体纳米材料氧化铟锡,氧化锑锡及氧化铝锌的制备方法。它是将生成复合金属氧化物的两种金属盐,按所需重量配比溶入含有同金属离子络合的有机物的有机溶剂中,另取去离子水溶解高分子保护剂配成水溶液,将反应物滴入水溶液中,发生水解反应生成两种金属氢氧化物的共沉淀物,将生成物过滤清洗、烘干、再煅烧,得到5-25nm的复合金属纳米粉。本发明使用金属的有机络合剂,同金属离子形成络合物,使两种金属在同一pH值下同时水解,高分子保护剂在反应中阻止生成物粒子长大,使两种金属的氢氧化物达到分子级的均匀混合。采用本发明,能批量生产粒度小、导电性好、分散度好的复合金属氧化物纳米粉。 | ||
搜索关键词: | 复合 氧化物 半导体 纳米 材料 制备 方法 | ||
【主权项】:
1、复合氧化物半导体纳米材料的制备方法,其特征在于将生成复合金属氧化物的两种金属盐,按所需复合重量配比溶入含有同金属离子络合的有机物的有机溶剂中,取去离子水溶解高分子保护剂,配成水溶液,用碱性物保持该水溶液pH=4-7,在45℃下将反应物滴入水溶液中,发生水解反应生成两种金属氢氧化物的共沉淀物,将生成物过滤清洗,在120℃下烘干8小时,再在500℃下煅烧5小时,得到5-25nm的复合金属氧化物纳米粉,两种金属盐为铟、锡盐,锑、锡盐或铝、锌盐,可同金属离子络合的有机物有醇胺类、有机酸类、胺类,其加量为金属盐0.1-30%,高分子保护剂有聚乙烯醇、聚乙二醇、甘油、聚乙烯吡咯烷酮、聚乙烯亚胺,其加量为金属盐3-35%。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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