[发明专利]硅氧烷基树脂及用其制造的半导体的层间绝缘膜无效
| 申请号： | 200410061735.1 | 申请日： | 2004-07-01 |
| 公开（公告）号： | CN1576297A | 公开（公告）日： | 2005-02-09 |
| 发明（设计）人： | 柳利烈;宋基熔;柳俊城;宣钟白 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | C08G77/04 | 分类号： | C08G77/04;C09D183/04;H01B3/46 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 张平元;赵仁临 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明公开了一种具有新型结构的硅氧烷基树脂，以及用它形成的半导体的层间绝缘膜。该硅氧烷基树脂除了具有优异的机械性能之外，还具有如此低的介电常数，以至于它们可用作半导体器件互连层之间的绝缘膜材料。 | ||
| 搜索关键词： | 烷基 树脂 制造 半导体 绝缘 | ||
【主权项】：
1.一种硅氧烷基树脂，其通过在有机溶剂中及，在酸或碱催化剂和水存在下，水解和缩合下面式1的具有放射结构的硅烷基单体和选自下面式2～4中的至少一种单体来制备：式1 Si[(CH2)kSiY1Y2Y3]4 其中：k是1到10的整数；Y1、Y2和Y3独立地为C1-C3烷基，C1-C10烷氧基或卤素原子，条件是它们中至少有一个是可以水解的；式2其中：R1是C1-C3烷基或C6-C15芳基；X1、X2和X3独立地为氢原子、C1-C3烷基、C1-C10烷氧基或卤素原子，条件是它们中至少有一个是可以水解的；m是0-10的整数；以及p是3-8的整数；式3其中：R2是C1-C3烷基或C6-C15芳基；X4是氢原子或C1-C10烷氧基；Y1是氢原子、C1-C3烷基或C1-C10烷氧基；以及n是0-10的整数；式4 R3SiX5X6X7 其中：R3是C1-C3烷基或C6-C15芳基；X5、X6和X7独立地为氢原子、C1-C3烷基、C1-C10烷氧基或卤素原子，条件是它们中至少有一个是可以水解的。
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