[发明专利]光致抗蚀剂聚合物与含有该光致抗蚀剂聚合物的光致抗蚀剂化合物无效
| 申请号： | 200410061832.0 | 申请日： | 2004-06-25 |
| 公开（公告）号： | CN1584740A | 公开（公告）日： | 2005-02-23 |
| 发明（设计）人： | 郑载昌 | 申请（专利权）人： | 海力士半导体有限公司 |
| 主分类号： | G03F7/004 | 分类号： | G03F7/004;G03F7/20;H01L21/00 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 宋莉;贾静环 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明涉及光致抗蚀剂聚合物及含有该光致抗蚀剂聚合物的光致抗蚀剂组合物。小于50纳米的光致抗蚀剂图案是使用EUV(极远紫外线)作为曝光光源，由包含下列成分的光致抗蚀剂组合物来获得的：(i)包含式2聚合重复单元的光致抗蚀剂聚合物或(ii)包含式3聚合重复单元的光致抗蚀剂聚合物与聚乙烯基苯酚。结果，虽然该光致抗蚀剂图案具有极小的厚度，但仍可取得优越的抗蚀刻性。其中R1、R2、R3、R4、R5、R6、R7、R8、R9、R10、R11、R12、a、b、c、d、e、f及g如说明书中所定义。（见式2和式3）。 | ||
| 搜索关键词： | 光致抗蚀剂 聚合物 含有 化合物 | ||
【主权项】：
1.一种包含式1所示的聚合重复单元的光致抗蚀剂聚合物：式1![]()
其中R1是氢或甲基；且R5是直链或支链C1-C10亚烷基。
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