[发明专利]太阳能电池无效
| 申请号： | 200410061868.9 | 申请日： | 2004-06-25 |
| 公开（公告）号： | CN1577899A | 公开（公告）日： | 2005-02-09 |
| 发明（设计）人： | 根上卓之;桥本泰宏 | 申请（专利权）人： | 松下电器产业株式会社 |
| 主分类号： | H01L31/04 | 分类号： | H01L31/04;H01L31/0256;H01L31/0248;H01L31/06 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 | 代理人： | 夏青 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明涉及一种具有高转换效率的CIS基太阳能电池，其通过省略窗口层降低了成本。该太阳能电池包括：具有半透明性和导电性的第一层；和靠近第一层设置的p型半导体层，通过第一层和p型半导体层形成结，其中p型半导体层包括具有含Ib族元素、IIIb族元素和VIb族元素的黄铜矿结构的半导体，第一层具有1019/cm3或更大的载流子密度，第一层的带隙Eg1 (eV)和p型半导体层的带隙Eg2 (eV)满足由公式：Eg1＞Eg2表示的关系，并且第一层的电子亲合势X1 (eV)和p型半导体层的电子亲合势X2 (eV)满足由公式：0≤(X2－X1)＜0.5的表示关系。 | ||
| 搜索关键词： | 太阳能电池 | ||
【主权项】：
1、一种太阳能电池，包括：具有半透明性和导电性的第一层；和靠近所述第一层设置的p型半导体层，通过所述第一层和所述p型半导体层形成结，其中所述p型半导体层包括具有含Ib族元素、IIIb族元素和VIb族元素的黄铜矿结构的半导体，所述第一层具有1019/cm3或更大的载流子密度，所述第一层的带隙Eg1(eV)和所述p型半导体层的带隙Eg2(eV)满足由公式：Eg1＞Eg2表示的关系，并且所述第一层的电子亲合势X1(eV)和所述p型半导体层的电子亲合势X2(eV)满足由公式：0≤(X2-X1)＜0.5表示的关系。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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