[发明专利]高频功率放大器电路和无线通信系统无效
| 申请号： | 200410062026.5 | 申请日： | 2004-06-28 |
| 公开（公告）号： | CN1578121A | 公开（公告）日： | 2005-02-09 |
| 发明（设计）人： | 田原健二;筒井孝幸;安达彻朗 | 申请（专利权）人： | 株式会社瑞萨科技 |
| 主分类号： | H03F3/21 | 分类号： | H03F3/21;H04B7/26 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 | 代理人： | 王英 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 提供了一种高频功率放大器电路和无线通信系统，其能够由功率电压来控制输出功率，在所需输出功率高的区域中产生充足的输出功率，并且在所需输出功率低的区域中提高功率效率。在该高频功率放大器电路(RF电源模块)中，所述高频功率放大器电路包括两个或多个级联的用于放大的FET，并通过控制用于放大的FET的功率电压来控制输出功率，该FET的栅极端子上施加预定电平的偏压，为用于放大的末级FET和用于放大的前级FET提供不同的用于功率电压控制的晶体管。用于功率电压控制的晶体管产生并施加功率电压，以便当所需输出电平相对较低时，使用于放大的前级FET达到饱和。 | ||
| 搜索关键词： | 高频 功率放大器 电路 无线通信 系统 | ||
【主权项】：
1、一种高频功率放大器电路，其包括两个或多个级联的用于放大的场效应晶体管，并通过控制用于放大的场效应晶体管的功率电压来控制输出功率，在该场效应晶体管的栅极端子上施加有预定电平的偏压，其中，为用于放大的末级场效应晶体管和用于放大的前级场效应晶体管配备不同的用于功率电压控制的晶体管，并且由用于功率电压控制的晶体管来产生和施加功率电压，以使用于放大的前级场效应晶体管能在比用于放大的末级场效应晶体管更低的控制电压的状态下达到漏极电流饱和。
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