[发明专利]形成半导体器件的位线的方法

摘要

本发明公开一种形成半导体器件的位线的方法。在用于形成一半导体器件的动态随机存取存储器中的位线的线图案化工艺中，通过化学气相沉积方法，在包含接触孔的层间绝缘膜中相继形成一阻挡金属层及一钨层，以填满该接触孔。接着，去除该阻挡金属层及该钨层直到暴露出该层间绝缘膜，并且通过物理气相沉积方法，在该暴露的层间绝缘膜上重新形成一薄厚度的钨层。结果，使位线区的缩小量如同从该层间绝缘膜的上部去除的该阻挡金属层的量，从而具有低位线电容。

主权项

1.一种形成半导体器件的位线的方法，包括步骤：在一包括器件隔离膜的半导体衬底上形成一栅极电极；在包括该栅极电极的该半导体衬底上形成一层间绝缘膜；选择性蚀刻该层间绝缘膜，形成暴露该栅极电极上表面及该半导体衬底的一部分的位线接触孔；在包括该位线接触孔的该层间绝缘膜上形成一阻挡金属层；在该阻挡金属层上形成填满该位线接触孔的CVD钨层；抛光该CVD钨层及该阻挡金属层，直到暴露该层间绝缘膜以形成一位线接触插塞；在该层间绝缘膜及该位线接触插塞的上表面上形成一PVD钨层；选择性蚀刻该PVD钨层以形成一钨位线。