[发明专利]具有超晶格半导体层的半导体器件及其制造方法有效
| 申请号： | 200410062143.1 | 申请日： | 2004-07-02 |
| 公开（公告）号： | CN1581528A | 公开（公告）日： | 2005-02-16 |
| 发明（设计）人： | 李元硕;河镜虎;郭准燮;白好善;李成男;司空坦 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01S5/343 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 李晓舒;魏晓刚 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明提供了一种具有超晶格半导体层的半导体器件及其制造方法。该半导体器件包括其中交替堆叠由不同材料形成的第一材料层和第二材料层的超晶格半导体层。在形成超晶格结构的第一材料层和第二材料层中形成有多个孔，该些孔填充有相邻材料层的材料。所提供的超晶格结构通过在保持预定光限制特性的同时经第一材料层和第二材料层中的孔输运电荷来降低驱动电压。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 晶格 半导体 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件，具有其中交替堆叠由不同材料形成的第一材料层和第二材料层的超晶格半导体层，该半导体器件包括：由该第一材料层和该第二材料层形成的超晶格结构，该第一材料层和第二材料层具有分别填充有相邻材料层的材料的多个孔。
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