[发明专利]半导体光学装置，在半导体光学装置中形成接触的方法无效
| 申请号： | 200410062177.0 | 申请日： | 2004-07-02 |
| 公开（公告）号： | CN1610136A | 公开（公告）日： | 2005-04-27 |
| 发明（设计）人： | 中村孝夫;森大树;片山浩二 | 申请（专利权）人： | 住友电气工业株式会社 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L21/28;H01S5/347 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 程金山 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 一种半导体光学装置包括超晶格接触半导体区和金属电极。超晶格接触半导体区具有超晶格结构。超晶格接触半导体区包括II－VI化合物半导体区和II－VI化合物半导体层。II－VI化合物半导体区含有锌、硒和碲，II－VI化合物半导体层含有锌和硒。金属电极在所述超晶格接触半导体区上提供，金属电极与第一II－VI化合物半导体层电连接。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 光学 装置 形成 接触 方法 | ||
【主权项】：
1、一种半导体光学装置，包括：具有超晶格结构的超晶格接触半导体区，所述超晶格接触半导体区包括II-VI化合物半导体区和II-VI化合物半导体层，所述II-VI化合物半导体区含有锌、硒和碲，所述II-VI化合物半导体层含有锌和硒；和在所述超晶格接触半导体区上提供的金属电极，所述金属电极与所述第一II-VI化合物半导体层电连接。
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