[发明专利]半导体装置以及其制造方法有效
| 申请号： | 200410062185.5 | 申请日： | 2004-07-02 |
| 公开（公告）号： | CN1577891A | 公开（公告）日： | 2005-02-09 |
| 发明（设计）人： | 楠本修;北畠真;内田正雄;高桥邦方;山下贤哉;萩尾正博;泽田和幸 | 申请（专利权）人： | 松下电器产业株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 汪惠民 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种采用碳化硅衬底，沟道层表面被平滑化、载流子的迁移率高的半导体装置以及其制造方法。双重注入型MISFET包括：在SiC衬底(1)上设置的高电阻SiC层(2)；p阱区(3)；p+接触区(4)；源区(6)；横跨源区(6)、p阱区(3)以及高电阻SiC层(2)形成的沟道层(5x)；栅绝缘膜(7)；栅极(10)；源极(8)；漏极(9)。高电阻SiC层(2)和p阱区(3)以及源区(6)的表面在堆积碳膜的状态下，通过杂质的活化退火或MCP成为平滑的状态，其后外延生长的沟道层(5x)的表面被进一步平滑化。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1、一种半导体装置，包括：在衬底的主平面上设置的碳化硅层；在上述碳化硅层的一部分上设置的包含第1导电型杂质的高浓度杂质扩散区；在上述高浓度杂质扩散区域的至少一部分上以及上述碳化硅层上通过外延生长形成的外延生长层；在上述外延生长层的一部分上设置的、上面比上述碳化硅层的上面还平滑的横跨上述高浓度杂质扩散区的沟道层。
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