[发明专利]有机薄膜晶体管及其制造方法无效
| 申请号： | 200410062352.6 | 申请日： | 2004-07-06 |
| 公开（公告）号： | CN1577913A | 公开（公告）日： | 2005-02-09 |
| 发明（设计）人： | 西川尚男;下田达也;岩佐义宏;竹延大志;小林慎一郎;三谷忠兴 | 申请（专利权）人： | 精工爱普生株式会社 |
| 主分类号： | H01L51/20 | 分类号： | H01L51/20;H01L51/00;H01L29/786 |
| 代理公司： | 北京康信知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 余刚 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明公开了一种即使不改变形成有机半导体薄膜的材料，也能够容易地控制阈值电压的有机薄膜晶体管及其制造方法。该有机薄膜晶体管包括栅电极(12)、栅极绝缘膜(14)、源电极(16)、漏电极(18)和有机半导体膜(20)，其中，在栅极绝缘膜(14)和有机半导体薄膜(20)之间具有阈值电压控制膜(22)。 | ||
| 搜索关键词： | 有机 薄膜晶体管 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种有机薄膜晶体管，其包括栅电极、栅极绝缘膜、源电极、漏电极和有机半导体膜，其中，在所述栅极绝缘膜和所述有机半导体薄膜之间具有阈值电压控制膜。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件；专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射；专门适用于将这些辐射能转换为电能，或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的，如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择
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