[发明专利]在半导体器件中形成栅极的方法有效
| 申请号： | 200410062358.3 | 申请日： | 2004-07-06 |
| 公开（公告）号： | CN1638047A | 公开（公告）日： | 2005-07-13 |
| 发明（设计）人： | 朴启淳 | 申请（专利权）人： | 海力士半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/28 | 分类号： | H01L21/28;H01L21/44;H01L21/336;H01L21/8234;H01L29/78 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人： | 王学强 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明涉及一种在半导体器件中形成栅极的方法。上述方法包括下列步骤：连续地形成栅极绝缘层及层间绝缘层于基板上；图案化所述层间绝缘层成为预定结构，由此形成已图案化层间绝缘层；形成氮化物层于所述已图案化层间绝缘层上；同时蚀刻所述氮化物层及所述基板，由此获得位于所述已图案化层间绝缘层侧面上的间隔物及在所述基板中具有预定深度的沟槽；形成导电层于所述沟槽上；以及平坦化所述导电层，由此形成所述栅极。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 形成 栅极 方法 | ||
【主权项】：
1、一种在半导体器件中形成栅极的方法，包括下列步骤：连续地形成栅极绝缘层及层间绝缘层于基板上；图案化所述层间绝缘层成为预定结构，由此形成已图案化层间绝缘层；形成氮化物层于所述已图案化层间绝缘层上；同时蚀刻所述氮化物层及所述基板，由此获得位于所述已图案化层间绝缘层侧面上的间隔物及在所述基板中具有预定深度的沟槽；形成导电层于所述沟槽上；以及平坦化所述导电层，由此形成所述栅极。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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