[发明专利]具有改进的SiCOH介质的界面强度的结构及其制备方法

摘要

一种半导体器件结构及其制造方法，包括：具有顶部第一层的衬底；位于第一层顶部上的第二薄过渡层；以及位于过渡层顶部上的第三层，其中第二薄过渡层提供了该结构的第一和第三层之间的强粘附性和内聚强度。此外，半导体器件结构及其制造方法包括含有多个介质和导电层的绝缘结构，通过设置各过渡粘附层可以提高不同层之间的界面强度。此外，电子器件结构引入了多个绝缘层和导电材料层作为后段制程(“BEOL”)布线结构中层内或层间介质，其中通过薄中间过渡粘附层提高了不同两介质膜之间的界面强度。

主权项

1.一种提高两个不同层之间包括粘附性和内聚性的界面强度的方法，所述方法包括以下步骤：将具有介质或导电材料的上部第一层的衬底置于能够产生等离子体的反应室；将所述上部第一层暴露到表面制备等离子体持续第一时间段；引入将淀积在上部第一层上的第二层的前体持续第二时间段，同时在反应室中表面制备等离子体为激活的；以及在第二时间段结束时停止表面预处理等离子体并调节到用于淀积所述第二层的等离子体参数。