[发明专利]薄膜晶体管阵列面板及其制造方法有效
| 申请号： | 200410062409.2 | 申请日： | 2004-07-02 |
| 公开（公告）号： | CN1580917A | 公开（公告）日： | 2005-02-16 |
| 发明（设计）人： | 李正荣;柳世桓;全相镇;朴旻昱 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | G02F1/136 | 分类号： | G02F1/136;H01L29/786;H01L21/00 |
| 代理公司： | 北京康信知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 余刚;彭焱 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明涉及一种制造薄膜晶体管阵列面板的方法，包括以下工序：在基片上形成栅极线；在栅极线上连续沉积栅极绝缘层和半导体层；在半导体层上沉积下部导电层和上部导电层；光学蚀刻上部导电层、下部导电层、及半导体层；沉积钝化层；光学蚀刻钝化层露出上部导电层第一部分和第二部分；除去上部导电层第一及第二部分，露出下部导电层第一部分和第二部分；形成覆盖下部导电层第一部分的像素电极；除去下部导电层第二部分，露出半导体层一部分；在半导体层露出部分上形成间隔材料支柱。 | ||
| 搜索关键词： | 薄膜晶体管 阵列 面板 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种制造薄膜晶体管阵列面板的方法，包括以下工序：在基片上形成栅极线；在所述栅极线上连续沉积栅极绝缘层和半导体层；在所述半导体层上沉积下部导电层和上部导电层；光学蚀刻所述上部导电层、所述下部导电层、及所述半导体层；沉积钝化层；光学蚀刻所述钝化层露出所述上部导电层第一部分和第二部分；除去所述上部导电层第一及第二部分，露出所述下部导电层第一部分和第二部分；形成覆盖所述下部导电层第一部分的像素电极；除去所述下部导电层第二部分，露出所述半导体层一部分；以及在所述半导体层露出部分上形成间隔材料支柱。
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