[发明专利]灰调掩模的制造方法无效
申请号: | 200410062538.1 | 申请日: | 2004-06-30 |
公开(公告)号: | CN1577084A | 公开(公告)日: | 2005-02-09 |
发明(设计)人: | 井村和久 | 申请(专利权)人: | HOYA株式会社 |
主分类号: | G03F1/14 | 分类号: | G03F1/14;G03F7/20;H01L21/00 |
代理公司: | 北京三友知识产权代理有限公司 | 代理人: | 党晓林 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 提供一种可以制造高品质的TFT的中间色彩膜类型的灰调掩模的制造方法,具有下述工序:准备在透明基板(21)上顺序形成半透光膜(22)和遮光膜(23)的掩模坯料的工序;在该掩模坯料上形成抗蚀膜的工序;对抗蚀膜进行曝光的工序,该工序包含:在所述抗蚀膜的形成半透光部的部分,将用于对该抗蚀膜实施图形曝光的曝光装置的分辨率限度以下的图形进行曝光;进行显影处理,形成使形成遮光部的部分和形成半透光部的部分的抗蚀剂残留膜的值不同的抗蚀图形(24a)的工序;把该抗蚀图形(24a)作为掩模,蚀刻遮光膜(23)和半透光膜(22)并形成透光部的工序;仅去除残留在半透光部上的抗蚀图形的工序;把所残留的抗蚀图形作为掩模,蚀刻遮光膜(23a)并形成半透光部的工序。 | ||
搜索关键词: | 灰调掩模 制造 方法 | ||
【主权项】:
1.一种灰调掩模的制造方法,该灰调掩模具有遮光部、透光部和半透光部,其特征在于,具有下述工序:准备在透明基板上至少顺序形成半透光膜和遮光膜的掩模坯料的工序;在所述掩模坯料上形成抗蚀膜的工序;对抗蚀膜进行曝光的工序,该工序包含:在所述抗蚀膜的形成半透光部的部分,将用于对该抗蚀膜实施图形曝光的曝光装置的分辨率限度以下的图形进行曝光;进行所述抗蚀膜的显影处理,形成使形成遮光部的部分和形成半透光部的部分的抗蚀剂残留膜的值不同的抗蚀图形的工序;把所述抗蚀图形作为掩模,蚀刻遮光膜和半透光膜并形成透光部的工序;仅去除残留在所述半透光部上的抗蚀图形的工序;把在所述工序残留的抗蚀图形作为掩模,蚀刻遮光膜和半透光膜的层压膜的一部分并形成半透光部的工序。
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G03 摄影术;电影术;利用了光波以外其他波的类似技术;电记录术;全息摄影术
G03F 图纹面的照相制版工艺,例如,印刷工艺、半导体器件的加工工艺;其所用材料;其所用原版;其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其专门适用于此的容器;其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如通过电子束;其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM];PSM空白;其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜;其制备,例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜,例如用于校准或测试的特殊涂层或标记;其制备
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