[发明专利]灰调掩模的制造方法无效

专利信息
申请号: 200410062538.1 申请日: 2004-06-30
公开(公告)号: CN1577084A 公开(公告)日: 2005-02-09
发明(设计)人: 井村和久 申请(专利权)人: HOYA株式会社
主分类号: G03F1/14 分类号: G03F1/14;G03F7/20;H01L21/00
代理公司: 北京三友知识产权代理有限公司 代理人: 党晓林
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要: 提供一种可以制造高品质的TFT的中间色彩膜类型的灰调掩模的制造方法,具有下述工序:准备在透明基板(21)上顺序形成半透光膜(22)和遮光膜(23)的掩模坯料的工序;在该掩模坯料上形成抗蚀膜的工序;对抗蚀膜进行曝光的工序,该工序包含:在所述抗蚀膜的形成半透光部的部分,将用于对该抗蚀膜实施图形曝光的曝光装置的分辨率限度以下的图形进行曝光;进行显影处理,形成使形成遮光部的部分和形成半透光部的部分的抗蚀剂残留膜的值不同的抗蚀图形(24a)的工序;把该抗蚀图形(24a)作为掩模,蚀刻遮光膜(23)和半透光膜(22)并形成透光部的工序;仅去除残留在半透光部上的抗蚀图形的工序;把所残留的抗蚀图形作为掩模,蚀刻遮光膜(23a)并形成半透光部的工序。
搜索关键词: 灰调掩模 制造 方法
【主权项】:
1.一种灰调掩模的制造方法,该灰调掩模具有遮光部、透光部和半透光部,其特征在于,具有下述工序:准备在透明基板上至少顺序形成半透光膜和遮光膜的掩模坯料的工序;在所述掩模坯料上形成抗蚀膜的工序;对抗蚀膜进行曝光的工序,该工序包含:在所述抗蚀膜的形成半透光部的部分,将用于对该抗蚀膜实施图形曝光的曝光装置的分辨率限度以下的图形进行曝光;进行所述抗蚀膜的显影处理,形成使形成遮光部的部分和形成半透光部的部分的抗蚀剂残留膜的值不同的抗蚀图形的工序;把所述抗蚀图形作为掩模,蚀刻遮光膜和半透光膜并形成透光部的工序;仅去除残留在所述半透光部上的抗蚀图形的工序;把在所述工序残留的抗蚀图形作为掩模,蚀刻遮光膜和半透光膜的层压膜的一部分并形成半透光部的工序。
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