[发明专利]加热处理装置的温度校正方法、显影处理装置的调整方法和半导体器件的制造方法无效
申请号: | 200410062569.7 | 申请日: | 2004-06-30 |
公开(公告)号: | CN1577082A | 公开(公告)日: | 2005-02-09 |
发明(设计)人: | 早崎圭;武藤大藏;浅野昌史;藤泽忠仁;柴田刚;伊藤信一 | 申请(专利权)人: | 株式会社东芝 |
主分类号: | G03F1/08 | 分类号: | G03F1/08;H01L21/027 |
代理公司: | 北京市中咨律师事务所 | 代理人: | 李峥;于静 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 本发明的温度校正方法可以抑制因装置间的温度不同而使得感光性树脂膜所得到的实效性的曝光量在装置间变动。包括:准备多个加热处理装置的工序;用所准备的各个加热处理装置,用多个设定温度,对已形成了曝光量监视图形的衬底进行加热处理的工序;在上述加热处理后进行冷却处理的工序;在上述冷却处理后进行显影处理的工序;在上述冷却处理后或上述显影处理后的任何一者中,测定曝光量监视图形的状态的工序;根据多个设定温度和所测定的曝光量监视图形的状态,对各个加热处理装置求设定温度与实效曝光量的关系的工序;根据所求得的关系,对各个加热处理装置进行修正,使得能够得到规定的实效性的曝光量的工序。 | ||
搜索关键词: | 加热 处理 装置 温度 校正 方法 显影 调整 半导体器件 制造 | ||
【主权项】:
1.一种加热处理装置的温度校正方法,其特征在于具备如下的工序:在衬底上形成感光性树脂膜的工序;准备配置有用来借助于已复制到上述感光性树脂膜上的曝光量监视图形的状态监视上述感光性树脂膜所得到的实效性的曝光量的曝光量监视标记的曝光掩模的工序;用曝光装置,以规定的设定曝光量把上述曝光量监视标记复制到上述感光性树脂膜上,形成上述曝光量监视图形的工序;准备多个加热处理装置的工序;用所准备的各个加热处理装置,用多个设定温度对已形成了上述曝光量监视图形的衬底进行加热处理的工序;对已进行了上述加热处理的衬底进行冷却处理的工序;对已施行了上述冷却处理的衬底上的感光性树脂膜进行显影处理的工序;在上述冷却处理后或在上述显影工序后的任何一者中,测定曝光量监视图形的状态的工序;根据多个设定温度和所测定的曝光量监视图形的状态,对各个加热处理装置求设定温度和实效性的曝光量的关系的工序;根据所求得的关系,对各个加热处理装置修正设定温度,使得可以得到规定的实效性的曝光量的工序。
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G03 摄影术;电影术;利用了光波以外其他波的类似技术;电记录术;全息摄影术
G03F 图纹面的照相制版工艺,例如,印刷工艺、半导体器件的加工工艺;其所用材料;其所用原版;其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其专门适用于此的容器;其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如通过电子束;其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM];PSM空白;其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜;其制备,例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜,例如用于校准或测试的特殊涂层或标记;其制备
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