[发明专利]氧化铬及氧化铝合成介电层及其制造方法无效
| 申请号： | 200410062628.0 | 申请日： | 2004-06-30 |
| 公开（公告）号： | CN1619820A | 公开（公告）日： | 2005-05-25 |
| 发明（设计）人： | 吉德信;卢载盛;孙贤哲 | 申请（专利权）人： | 海力士半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/108 | 分类号： | H01L27/108;H01L21/316;H01L21/285;H01L21/8242 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人： | 王学强 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及一种氧化铪及氧化铝合成介电层及其制造方法。所述介电层通过采用原子层沉积技术沉积形成。制造氧化铪及氧化铝合成介电层的方法包含下列步骤：通过重复进行原子层沉积技术的第一循环沉积氧化铪单原子层；通过重复进行原子层沉积技术的第二循环沉积氧化铝单原子层；及通过重复进行包含混合第一与第二循环的第三循环，沉积氧化铪单原子层与氧化铝单原子层的介电层。 | ||
| 搜索关键词： | 氧化铬 氧化铝 合成 介电层 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体装置的介电层，包含通过采用原子层沉积技术而形成氧化铪与氧化铝合成介电层。
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H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
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