[发明专利]同时制造各种尺寸的隔离结构的方法

摘要

本发明公开了一种同时制造各种尺寸的隔离结构的方法，浅沟渠隔离结构被同时制造以使一胞区域中的一些具有第一型图案，而在一周边区域中的一些具有第二型图案。第一型图案可有圆的边缘或可有第一深度与宽度，而第二型图案可有不圆的边缘或可有不同于第一深度与宽度的第二深度与宽度。此种方法包含于部分的一胞区域以及一周边区域的一硬罩幕层上形成一图案化光阻层，以及去除周边区域中暴露出的硬罩幕层同时去除胞区域中暴露出的部分硬罩幕层。然后于周边区域中部分形成一沟渠以及去除胞区域中的硬罩幕层，再加深周边区域中的沟渠以及于胞区域中形成一沟渠。

主权项

1.一种形成浅沟渠隔离结构的方法，其特征在于，包括：提供一基底，其具有一胞区域以及一周边区域；于该基底上形成一硬罩幕层，以覆盖至少部分该胞区域以及至少部分该周边区域；于该硬罩幕层上形成一图案化光阻层，该图案化光阻层暴露出该胞区域中的部分该硬罩幕层以及暴露出该周边区域中的部分该硬罩幕层；施行一第一蚀刻制程，以去除该周边区域中被该图案化光阻层暴露出的所有该硬罩幕层以及去除该胞区域中被该图案化光阻层暴露出的部分该硬罩幕层；施行一第二蚀刻制程，以于该周边区域中部分形成一沟渠以及去除该胞区域中的该硬罩幕层；施行一第三蚀刻制程，以加深形成于该周边区域中的该沟渠以及于该胞区域中形成一沟渠；以及以一绝缘材质填满该周边区域中的该沟渠以及填满该胞区域中的该沟渠。