[发明专利]高电流半导体结构

摘要

本发明公开了一种高电流半导体结构，该半导体结构具有第三金属层，利用电路并联原理，可将导通电流加大，其与公知的半导体结构相比所提供电流高出许多，为一种用于小体积内可提高额定电流的半导体结构，尤其可以适用于高功率集成电路元件，如用于电源供应装置的晶体管。

主权项

1、一种高电流半导体结构，其特征在于，包含：多个漏极区，且多个漏极接触形成于每一漏极区之中；多个源极区，且多个源极接触形成于每一源极区之中；量子活动区，具量子活动能力；多个栅极区，且每一栅极区位于一该漏极区及一该栅极区之间；第二金属层位于该漏极区或源极区的上方，具有电路导通功能，与该漏极区或源极区相电通接触；第三金属层，位于该第二金属层的上方，具有电路导通功能，与栅极区相电通接触；其中漏极区、源极区与栅极区形成多个晶体管；藉由第三金属层的设置，使得源极或漏极可连接一电导通量较大的区域使电流量加大。