[发明专利]功率型高亮度白光组合半导体发光二极管（LED）芯片及批量生产的工艺无效
| 申请号： | 200410062731.5 | 申请日： | 2004-07-08 |
| 公开（公告）号： | CN1619846A | 公开（公告）日： | 2005-05-25 |
| 发明（设计）人： | 彭晖;彭刚 | 申请（专利权）人： | 金芃 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 100871北京市海*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明揭示几种功率型高亮度白光组合半导体发光二极管(LED)芯片及其低成本高产能的批量生产方法。这几种功率型高亮度白光组合半导体发光二极管芯片的结构包括，但不限于：第一外延层键合到高导热的导电衬底的一面上并且发出具有第一波长的光，导电衬底的另一表面的全部作为第一电极；第二外延层键合到第一外延层并且发出具有第二波长的光，图形化的第二电极层叠于第二外延层的暴露的表面。第一波长的光和第二波长的光复合成白光或者所希望的颜色的光。本发明的键合，层叠电极，和剥离衬底的生产工艺都是在晶片水平进行，所以可以进行低成本高产能的批量生产。 | ||
| 搜索关键词： | 功率 亮度 白光 组合 半导体 发光二极管 led 芯片 批量 生产 工艺 | ||
【主权项】：
1.一种发出混合颜色的光的组合半导体发光二极管(LED)芯片，包括但不限于：第一外延层，该层包括但不限于，依次纵向层叠的第一N-限制层，第一发光层，和第一P-限制层组成，所述的第一发光层发出具有第一波长的光；第二外延层，该层包括但不限于，依次纵向层叠的第二N-限制层，第二发光层，和第二P-限制层组成，所述的第二发光层发出具有第二波长的光；第一波长的光的波长比第二波长的光的波长长；所述的第一外延层的一面键合到所述的第二外延层的一面；一个第二电极层叠在所述的第二外延层的另一面；一个导电衬底键合到所述的第一外延层的另一面；一个第一电极层叠在所述的导电衬底的另一面。
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