[发明专利]半导体装置

摘要

半导体装置(101)包括：具有主表面的硅基板；在主表面上形成的存储单元；主表面上形成的覆盖存储单元的层间绝缘膜。层间绝缘膜具有顶面和周缘(54)。在层间绝缘膜上，形成位于存储单元和周缘(54)间、与主表面平行延伸且相互间隔并沿规定的方向延伸的沟(11m及11n)和从沟(11m及11n)分支、沿与沟(11m及11n)延伸方向不同的方向延伸的沟(11p)。半导体装置(101)还具备填充沟(11m、11n及11p)的金属膜(12m、12n及12p)。可提供可确实防止层间绝缘膜的周缘向内部传播的裂缝的进展的可靠性高的半导体装置。

主权项

1.一种半导体装置，包括：具有主表面的半导体基板；上述主表面上形成的半导体元件；以及上述主表面上形成的用于覆盖上述半导体元件的层间绝缘膜，它具有顶面和从上述顶面连接到上述主表面的周缘，在上述层间绝缘膜上，形成位于上述半导体元件和上述周缘之间、与上述主表面平行延伸且相互间隔并沿规定的方向延伸的带状的第1及第2沟部和从上述第1及第2沟部分支、沿与上述第1及第2沟部延伸方向不同的方向延伸的多个第3沟部，还具备填充上述第1、第2及第3沟部的金属。