[发明专利]高密度集成电路之存储器

摘要

本发明对高密度集成电路，尤其对高密度集成电路的存储器的操作模式和周边电路做了进一步完善和提高。除了汲取了当今SRAM、DRAM和其它一些只读存储器的技术外，本发明还提供了静态操作模式、动态操作模式、位线分组、读出放大器反馈、互补存储亚元对、参照哑元、数据就绪哑元、极性元、多存储块等方法来缩短访问时间，以提高高密度集成电路的存储器的性能。

主权项

1.一种三维存储器，其特征在于含有：一位于衬底的第一集成电路层(000)；一叠置于该第一集成电路层(000)上的第二集成电路层(100)，该第二集成电路层(100)含有一存储阵列(110)，该存储阵列含有多条字线(12a、12b...)、多条位线(13a、13b...)以及多个存储元(11aa、11ab...)；多个将第一和第二集成电路层耦合的层间连接通道口(14a、14b...)；该第一集成电路层(000)还含有至少部分该存储阵列(110)的周边电路(4、5、6)，至少部分层间连接通道口(14a、14b...)将位于该第二集成电路层(100)的所述存储阵列(110)及其位于第一集成电路层(000)的周边电路(4、5、6)耦合。