[发明专利]固态成像器件有效
| 申请号： | 200410063119.X | 申请日： | 2004-04-05 |
| 公开（公告）号： | CN1551364A | 公开（公告）日： | 2004-12-01 |
| 发明（设计）人： | 名取太知 | 申请（专利权）人： | 索尼株式会社 |
| 主分类号： | H01L27/14 | 分类号： | H01L27/14;H04N5/335 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 陶凤波;侯宇 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种改善成像区边缘的感光性恶化(遮蔽)的固态成像器件，其包括与成像区(42)中的每一传感器部分(23)相应的微小镜片(28)，并且对微小镜片(28)进行出射光瞳矫正的缩小倍率中心被设定在偏离成像区(42)中心的位置(O)处。 | ||
| 搜索关键词： | 固态 成像 器件 | ||
【主权项】：
1.一种固态成像器件，包括：与一成像区中的每个传感器部分相对应的多个微小镜片；其中，对所述多个微小镜片进行出射光瞳矫正的缩小倍率中心被设定在偏离所述成像区中心的位置处。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
