[发明专利]含碳的氮化铝烧结体，用于半导体制造/检测设备的基材无效
| 申请号： | 200410063321.2 | 申请日： | 2000-05-12 |
| 公开（公告）号： | CN1550477A | 公开（公告）日： | 2004-12-01 |
| 发明（设计）人： | 伊藤康隆;平松靖二 | 申请（专利权）人： | IBIDEN股份有限公司 |
| 主分类号： | C04B35/581 | 分类号： | C04B35/581 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所 | 代理人： | 朱黎明 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明目的是提供一种能保持108Ω·cm或更大的体积电阻率的氮化铝烧结体，能保证覆盖能力，大的辐射热量和用温度显示器测定时的准确度。本发明的含碳氮化铝烧结体在其氮化铝构成的基体中包含在X射线衍射图中检测不到峰或其峰低于检测下限的碳。 | ||
| 搜索关键词： | 氮化 烧结 用于 半导体 制造 检测 设备 基材 | ||
【主权项】：
1.一种含碳的氮化铝烧结体，在其氮化铝构成的基体中包含在X射线衍射图中检测不到峰或其峰低于检测下限的碳。
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