[发明专利]半导体元件的熔丝结构

摘要

一种半导体元件的熔丝结构，包括在半导体基底上，夹于上下绝缘层中的一熔丝层，其借着介层洞与其它金属层电相连，该熔丝层的电阻系数可以由其形成材料而调整。该熔丝层具有至少两个互相分离的区块与至少一个位于其间连接的连接区块，而导致熔丝结构中电流流动途径迂回通过各区块，熔丝结构具有至少一或多个烧熔点，不但降低残余熔融熔丝造成的负面影响，提高熔丝结构的可靠率，更可进一步改善散热率，避免过热，而使制作过程余裕增大。

主权项

1.一种半导体元件的熔丝，包括：一第一绝缘层，在一半导体基底上形成；一熔丝层，形成在该第一绝缘层上，其中该熔丝层具有多个区块，包括一第一区块、一第二区块、一第三区块、一第四区块与连接第一区块与第二区块的一第一连结区块、连接第二区块与第三区块的一第二连结区块，以及连接第三区块与第四区块的一第三连结区块，其中第二区块与第三区块位于第一区块与第四区块之间，第二区块靠近第一区块，第三区块靠近第四区块，而各区块除了以各连结区块相连接外，彼此并不相连，而任一连结区块的宽度小于任一区块的宽度；一第二绝缘层，在该熔丝层上形成，其中该第二绝缘层包括多个介层插塞；一第一顶部金属层，形成在该第二绝缘层上而与该各介层插塞相连接，其中该第一顶部金属层通过该各介层插塞而与熔丝层的该第一区块电相连接；以及一第二顶部金属层，形成在该第二绝缘层上而与该各介层插塞相连接，其中该第二顶部金属层通过该各介层插塞而与熔丝层的该第四区块电相连接。