[发明专利]用于对准或重叠的标记结构,限定它的掩模图案及使用该掩模图案的光刻投影装置有效
申请号: | 200410063495.9 | 申请日: | 2004-07-12 |
公开(公告)号: | CN1577080A | 公开(公告)日: | 2005-02-09 |
发明(设计)人: | J·M·芬德斯;M·杜萨;R·J·F·范哈伦;L·A·C·S·科里纳;E·H·J·亨德里克西;G·范登伯赫;A·H·M·范德霍夫 | 申请(专利权)人: | ASML荷兰有限公司 |
主分类号: | G03F1/00 | 分类号: | G03F1/00;G03F7/20;H01L21/00 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人: | 肖春京 |
地址: | 荷兰维*** | 国省代码: | 荷兰;NL |
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摘要: | 在光刻投影中用于将标记结构成像在基底上的掩模图案,该标记结构在使用中布置成用于确定光学对准或重叠,该掩模图案包括组成部分以限定标记结构,该组成部分被分成多个分段元件(EL;ML),每个分段元件大体上具有器件特征的尺寸,该掩模图案包括用于每个分段元件(EL;ML)的部段形状,其特征在于用于标记结构的掩模图案包括至少一个位于部段形状的临界部分的辅助特征(EL_sub),用于平衡在光刻投影中在临界部分处产生的平衡光学像差或者光学限制,该至少一个辅助特征(EL_sub)具有大体上小于光刻投影的分辨率的尺寸。 | ||
搜索关键词: | 用于 对准 重叠 标记 结构 限定 图案 使用 光刻 投影 装置 | ||
【主权项】:
1.在光刻投影中用于将标记结构成像在基底上的掩模图案,该标记结构在使用中布置成用于确定光学对准或重叠,该掩模图案包括组成部分以限定标记结构,该组成部分被分成多个分段元件(EL;ML),每个分段元件大体上具有器件特征的尺寸,该掩模图案包括给每个分段元件(EL;ML)的部段形状,其特征在于将组成部分分成分段元件(EL;ML)是沿垂直于光刻投影的扫描方向(S)的方向。
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G03 摄影术;电影术;利用了光波以外其他波的类似技术;电记录术;全息摄影术
G03F 图纹面的照相制版工艺,例如,印刷工艺、半导体器件的加工工艺;其所用材料;其所用原版;其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其专门适用于此的容器;其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如通过电子束;其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM];PSM空白;其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜;其制备,例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜,例如用于校准或测试的特殊涂层或标记;其制备
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