[发明专利]研磨装置的管理方法无效
| 申请号： | 200410063679.5 | 申请日： | 2004-07-14 |
| 公开（公告）号： | CN1577759A | 公开（公告）日： | 2005-02-09 |
| 发明（设计）人： | 宫坂幸太郎;今井伸一 | 申请（专利权）人： | 松下电器产业株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/304 | 分类号： | H01L21/304;H01L21/66 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 汪惠民 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种研磨装置的管理方法。本发明的目的在于：提供一种管理研磨装置的方法，使其能够减少在晶片之间产生的研磨量的不均匀，进行高精度地研磨。具备检测施加在为被研磨对象的晶片上的压力的压力检测器的研磨装置的管理方法，包括：将在等待晶片的研磨的第1时间由压力检测器检测出的第1压力值、和在进行晶片的研磨的第2时间由压力检测器检测出的第2压力值的差值计算出来，作为在第2时间实际施加在晶片上的实际压力值的步骤；以及监测实际压力值的步骤。 | ||
| 搜索关键词： | 研磨 装置 管理 方法 | ||
【主权项】：
1、一种研磨装置的管理方法，其包括检测施加在为被研磨对象的晶片上的压力的压力检测器，其特征在于：包括：将在等待研磨所述晶片的第1时间由所述压力检测器检测出的第1压力值、和在进行所述晶片研磨的第2时间由所述压力检测器检测出的第2压力值的差值计算出来，作为在所述第2时间实际施加在所述晶片上的实际压力值的步骤；以及监测所述实际压力值的步骤。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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