[发明专利]用于超声转换器阵列的高电压开关的方法和装置

摘要

一种高电压开关电路，包括：具有导通和截止状态并具有寄生栅极电容的开关(X1～X3)的开关，和用来使该开关导通和截止的控制电路(C1～C3)。该开关包括一对具有共用栅极端子的DMOS FET(M_D1和M_D2)，该DMOS FET的源极彼此连接，而该DMOS FET的漏极分别连接至开关的输入和输出端子，并偏置在偏置电压电平。该控制电路包括：编程晶体管(M₄)，其漏极连接至开关的共用栅极端子，其源极连接以接收编程电压，而其栅极连接以接收编程晶体管栅极电压；第1电路(12)，用来促使从编程电压的第1电平到第2电平(更低)的第1过渡；和第2电路(M₇和M₈)，用来促使从编程晶体管栅极电压的第1电平到第2电平的第2过渡。编程电压的第2电平比偏置电压电平高出足以导通开关的量。编程晶体管栅极电压的第1电平约等于编程电压的第1电平，而编程晶体管栅极电压的第2电平比编程电压的第2电平低出足以导通编程晶体管的量，从而编程电压的第2电平经由编程晶体管被施加到开关的共用栅极端子。

主权项

1.一种电路，包括：具有导通和截止状态并具有寄生栅极电容的开关，所述开关包括一对具有共用栅极端子的DMOS FET(MD1和MD2)，所述DMOS FET的源极彼此连接，而所述DMOS FET的漏极分别连接至所述开关的输入和输出端子(S1 和S2)，并偏置在偏置电压电平；和用来使所述开关导通和截止的控制电路，所述控制电路包括：编程晶体管(M4)，其漏极连接至所述开关的所述共用栅极端子，其源极连接以接收编程电压，而其栅极连接以接收编程晶体管栅极电压；第1电路(12)，用于促使从所述编程电压的第1电平到所述编程电压的第2电平的第1过渡，所述编程电压的所述第2电平低于所述编程电压的所述第1电平，并比所述偏置电压电平高出足以导通所述开关的量；和第2电路(M7和M8)，用于促使从所述编程晶体管栅极电压的第1电平到所述编程晶体管栅极电压的第2电平的第2过渡，所述编程晶体管栅极电压的所述第1电平约等于所述编程电压的所述第1电平，而所述编程晶体管栅极电压的所述第2电平比所述编程电压的所述第2电平低出足以导通所述编程晶体管的量，从而所述编程电压的所述第2电平经由所述编程晶体管被施加到所述开关的所述共用栅极端子。