[发明专利]氮化物半导体器件

摘要

本发明提供一种具有多量子阱结构激活层的第一氮化物半导体光发射器件，该器件具有改进的发光强度和优良的耐静电压特性，从而能把应用扩展到多种产品中。激活层7是由包含In_aGa_1－aN(0≤a＜1)的多个量子阱结构构成。在包含p型杂质的激活层上形成p覆层8。p覆层8是由包括含Al的第一氮化物半导体膜和具有不同于所述第一氮化物半导体膜成分的第二氮化物半导体膜的多膜层构成。做为选择，p覆层8是由Al_bGa_1－bN(0≤b≤1)制成的单一分层的层构成。在p覆层8上生成p型杂质浓度比p覆层8低的低掺杂层9。在低掺杂层9上生长p型杂质浓度比p覆层8和低掺杂层9高的p接触层。

主权项

1.一种氮化物半导体器件，包括：a)具有按照顺序的n侧接触层、n侧第一多膜层和n侧第二多膜层的n区氮化物半导体，所述n侧第一多膜层具有厚度不同的多个层，所述n侧第二多膜层是通过交替叠置具有一个或多个第三氮化物半导体层和一个或多个第四半导体层的两种层而形成的，总叠置次数是三或者更多，所述第三氮化物半导体层包括In，所述第四氮化物半导体层具有与所述第三氮化物半导体层不同的成分，所述两种层的至少之一具有100埃或更小的厚度；b)具有三种层的p区氮化物半导体，所述三种层的p型杂质比率彼此不同；c)在所述n侧第二多膜层和所述p区氮化物半导体之间的激活层，所述激活层包括In和Ga，所述激活层具有多量子阱结构或者单一多量子阱结构。