[发明专利]用于显微机械加工晶体材料的蚀刻方法以及由此方法制备的器件无效
| 申请号： | 200410063905.X | 申请日： | 2004-05-21 |
| 公开（公告）号： | CN1595617A | 公开（公告）日： | 2005-03-16 |
| 发明（设计）人： | 丹·A·斯泰因伯格 | 申请（专利权）人： | 罗姆和哈斯电子材料有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L21/306 | 分类号： | H01L21/306;H01L21/30;H01L21/02 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 郑修哲 |
| 地址： | 美国马*** | 国省代码： | 美国;US |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明通常涉及显微机械加工。具体地，本发明涉及定向离子蚀刻和各向异性湿蚀刻的方法以及由此制备的器件和结构。本发明具体应用到硅显微结构中并在相同的结构中提供将结晶表面和垂直干蚀刻表面结合在一起的结构。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 显微 机械 加工 晶体 材料 蚀刻 方法 以及 由此 制备 器件 | ||
【主权项】：
1、一种用于显微机械加工结晶衬底的方法，包括：提供结晶衬底；定向蚀刻在衬底中的一个第一蚀刻终止坑；用掩模材料涂敷第一蚀刻终止坑；各向异性湿蚀刻相邻第一蚀刻终止坑的区域以提供设置在衬底中的沟槽；以及在第一蚀刻终止坑形成后各向异性湿蚀刻第一湿蚀刻坑，第一湿蚀刻坑包括侧壁以提供用于与沟槽光学连通的反射表面，其中第一蚀刻终止坑设在沟槽和第一湿蚀刻坑之间。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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